08实验室正在研制的光刻胶，也是国家半导体后备技术的一部分。
在这个时期，光刻胶并不属于国外向中国禁售的产品。国际上生产光刻胶的厂商众多，国内的半导体企业能够轻而易举地买到各种光刻胶，而且价格也并不昂贵。
然而，国家却依然向枫林研究所下达了研制光刻胶的任务，其目的就是为了万一遭遇到国外的封锁，国内自己也能够提供出合用的光刻胶，确保少数关系国家安全的集成电路的生产不受影响。
所有的人都知道，国内自己研制的光刻胶生产成本会远远高于进口产品，质量则是远远不及，在市场上是绝对没有竞争力的。
但是，当事关国家生死存亡的时候，这些问题还有必要考虑吗？
枫林研究所研究的许多技术，都具有这样的特征。相比西方国家而言，这些技术平均要落后一至两代，即使送给别人，人家也不屑一顾。
可这并不意味着枫林研究所的保密制度就是多余的。保密的目的在于让对手不清楚我们的研究进度到了哪一步，无论对方高估或者低估了我们的水平，都会在战场博弈或者经济博弈中犯下一些或大或小的错误，而这些错误，可能就会成为我们的机会。
这是弱者的一种生存策略。
高凡对于国家的整体策略并不十分了解，但在他从云中明那里听到“光致抗蚀剂”这个词的时候，他就产生出了一个念头：
或许，自己能够做一些事情。
“徐师兄，我听毕主任说，你们正在研究的是g线光刻胶。对于i线以及krf光刻胶，你们有没有涉及？”高凡问道。
他说的毕主任，叫毕连生，是08实验室的室主任，一位不苟言笑的中年知识分子。
光刻技术，按照使用的光源不同，可以分为许多类，或者称为不同代际也可以。
上世纪60年代，光刻技术刚刚出现的时候，使用的是普通的可见光光源，那时候的光刻机其实就是拿一个大灯泡照射掩膜板，和照相馆里冲洗照片没啥区别。
80年代，光源进化为采用高压放电汞灯产生的436纳米和365纳米光源，前者称为g线光源，后者称为i线光源，都属于近紫外光源。
90年代之后，出现了使用准分子激光器的248纳米、193纳米和157纳米光源，分别称为krf、arf和f2光源，属于深紫外光源。
再至于被誉为“皇冠上的明珠”的euv光刻机，使用的是133纳米的极紫外光源，它的出现时间已经要算到2010年之后了。
时下，g线光源还是集成电路制造中使用的主流光源。i线光源光刻机已经问世，但还没有得到大规模推广。至于krf，实验室概念已经提出来了，真正投入使用，还得是十年后的事情。
光刻的原理，与冲洗照片是一样的。首先，要把电路图制作成底片，称为掩膜。光源通过掩膜照射在涂了光刻胶的芯片基材上。
光刻胶由树脂、感光剂、溶剂和添加剂组成，其中的感光剂在光线照射下会发生反应，使曝光区的光刻胶溶解，这就相当于把掩膜上的电路图案复制到了芯片基材上。
随后，再进行蚀刻、离子注入、封装等操作，一枚芯片就制作完成了。
光刻胶中感光剂的选择，与光源是密切相关的，这涉及到化合物在不同波长光线作用下的变化，机理十分复杂。
徐云是知道这些概念的。他原本就是物理系的学生，枫林研究所聘请他的老师前来参与这个项目，就是因为其中涉及到一些光学方面的问题。他在项目组里耳濡目染了这么久，对于这些问题自然是非常了解的。
听到高凡的问题，徐云也只能把心里那些杂念抛开，认真地答道：“我们现在研究的重点，就是g线光刻胶，这也是目前应用最广泛的。
“i线光刻胶这方面，毕主任在实验室会议上提过几次，让大家有时间做一些积累，不过目前条件还不成熟。再至于说krf光刻胶，好像国外也刚刚开始研究吧？”
“你说i线光刻胶的条件不成熟，是指什么？”高凡问道。
徐云道：“不是我说的，而是毕主任说的。现在国内根本就没有使用i线光源的光刻机，国外也不多，研究i线光刻胶，是不是有些操之过急了？”
“我想跟你说的，就是这个。”高凡说，“对了，徐师兄，摩尔定律你听说过没有？”
“当然听说过。”徐云不忿地说，“不就是集成电路上的晶体管数量，每两年就增加一倍吗？我们好几个老师上课的时候都提过。”
“不愧是科大，思维
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